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X射線衍射（XRD）是表征有序材料結構的重要工具。高角度的相干散射可以反映原子的排列。在非常低的角度也可以觀察到相干信號，這些信號可以用來表征分子篩材料（比如ZSM-41或SBA-15）中圓柱形孔的周期性排列。案例分析低角度數據采集需要嚴格控制空氣散射和照在樣品上的光斑面積。通過適當地選擇一個固定尺寸的主光路發散狹縫和一個固定的防空氣散射屏，可控制上述的兩個條件。在D6PHASER上使用動態光束優化(DBO)系統，從而使光路和光斑的控制更加的方便和優化可調。DBO包含可變發散...

固體的電學、光學和化學性質深受其占據態（occupiedstate）和非占據態（unoccupiedstate）電子結構的共同影響。在半導體材料中，費米能級兩側的電子結構對雜質摻雜、能帶調控以及器件的研發與應用至關重要，尤其是非占據態能級結構，它直接決定了電荷的轉移和輸運性能。雖然占據態的電子信息可通過光電子能譜，如XPS和UPS來解析，但由于非占據態沒有電子填充，傳統的光電效應方法無法有效獲取其能帶信息。為了深入探索非占據態的信息，我們需要借助反光電子能譜（InverseP...

面是指固體表面一個或數個原子層的區域，是與外界進行物質交換和能量交換的通道，其性質（如化學組成、原子排列、電子狀態等）與體相具有諸多不同，但是材料的表面行為往往決定了材料/器件的功用和性能。因此，表面分析對于新材料、新技術的研發至關重要。常用的表面分析技術主要有XPS、AES和TOF-SIMS等，其中，AES技術能夠實現對納米尺度特征的表面進行化學分析。俄歇電子能譜儀（AugerElectronSpectroscopy，AES）采用場發射電子源入射樣品的表面，激發出二次電子（...

在使用二次離子質譜（SIMS）技術對樣品進行定量分析時，常遇到一系列棘手的問題：即便在濃度相同、測試條件一致的情況下，同一組分在不同的化學環境中二次離子產額可能跨越幾個數量級；此外，即便同一組樣品，使用相同設備和實驗條件、在不同時間段內測到的二次離子信號強度也可能會有所差異。在SIMS分析中，常將實驗條件和樣品化學性質差異等因素導致二次離子產額發生變化的現象統稱為基體效應（matrixeffect）。在這期文章，我們將介紹SIMS分析中的基體效應，并分析基體效應對SIMS測試...

Ti-6Al-4V是一種典型的α+β型兩相鈦合金，在航空、醫療器械、艦船等方面應用普遍。鑒于鈦對氧的親和性好，電子束熔煉（EBM）是鈦合金增材制造推薦工藝。然而，在EBM工藝中，只有部分粉末會熔化和凝固，為節省成本，合理利用資源，對于用過的且符合特定化學成分的Ti-6Al-4V粉末需要進行篩分、回收和重復利用。為進一步研究Ti-6Al-4V粉末在重復使用過程中表面局部位置形貌和化學變化，本案例對多次回收的粉末做了詳盡的AES（PHI700）和XPS（PHI5000VersaP...

帶隙（BandGap），亦被稱為禁帶寬度，是半導體材料的重要參數之一。它不僅揭示了價電子被束縛的緊密程度，還是衡量半導體光學性能*與否的重要指標。此外，帶隙決定了激發該半導體所必須的較小能量閾值。在光電轉換器件，如太陽能電池和發光二極管等領域，帶隙的測量對深入理解半導體的電學和光學特性，以及探索其實際應用價值，具有不可替代的物理和現實意義。過去，科研人員主要通過循環伏安法或結合UPS與光學吸收法來測量帶隙和能級排列。然而，隨著反光電子能譜技術（InversePhotoemis...

鋰離子電池具有自放電小、開路電壓高、能量密度大、循環壽命長等優點，自問世以來就備受關注。但是，鋰離子電池采用含有機溶劑的液體電解質，存在不容忽視的安全隱患。對此，全固態電池（ABBS）應運而生，因其電解質在內的所有組件都是固態的，在安全性和熱穩定性上有著明顯優勢，已然成為新能源、儲能技術、材料科學等領域的研究熱點。然而，電極與固體電解質之間的界面存在著來源尚不明確的電阻，成為影響ABBS實際應用的較大障礙之一。因此，利用有效的表面分析技術研究SE/陰極界面的相互作用，對提高全...

具有寬帶隙的碳化硅基半導體，在制備各種高頻、高溫和大功率電子器件方面具有非常有前景。因此，提高SiC晶圓的質量，解決SiC制造工藝的高成本和低成品率是目前工業生產緊迫的問題之一[1]。而對于在線批量生產，檢測SiC晶圓的質量不能不能對其表面產生損傷，因此需要使用高分辨率、非破壞性表面檢測技術。表面光電壓（SPV）技術是一種研究光活性材料中電荷分離和轉移過程的先進方法[2]。光生載流子在空間上的分離和表面光生載流子的演化有關。因此，該技術靈敏度高、非接觸式并且在表面監測中不具有...